0 0 0
  7. NTHC5513T1G

Транзисторы многоканальные NTHC5513T1G

 
NTHC5513T1G
 
ONSEMI
Артикул: 542211
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
106.16 грн
5+
74.15 грн
19+
53.19 грн
52+
50.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
ChipFET(1805287)
Напряжение сток-исток
20/-20В(1596061)
Ток стока
3,9/-3А(1996884)
Сопротивление в открытом состоянии
115/240мОм(1996885)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
2,1Вт(1487305)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
3нC(1609780)
Вид транзистора
комплементарная пара(1492083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
12А(1741665)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы многоканальные NTHC5513T1G
ONSEMI
Артикул: 542211
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
106.16 грн
5+
74.15 грн
19+
53.19 грн
52+
50.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
ChipFET
Напряжение сток-исток
20/-20В
Ток стока
3,9/-3А
Сопротивление в открытом состоянии
115/240мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
3нC
Вид транзистора
комплементарная пара
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g