0 0 0
  8. NTHL020N090SC1

Транзисторы с каналом N THT NTHL020N090SC1

 
NTHL020N090SC1
 
ONSEMI
Артикул: 437046
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 83А; Idm: 427А; 251Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 074.20 грн
2+
1 961.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
900В(1441403)
Ток стока
83А(1479452)
Сопротивление в открытом состоянии
28мОм(1441275)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
251Вт(1823315)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
196нC(1743014)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-10...19В(1981522)
Ток стока в импульсном режиме
427А(1823314)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N THT NTHL020N090SC1
ONSEMI
Артикул: 437046
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 900В; 83А; Idm: 427А; 251Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 074.20 грн
2+
1 961.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
900В
Ток стока
83А
Сопротивление в открытом состоянии
28мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
251Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
196нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-10...19В
Ток стока в импульсном режиме
427А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g