0 0 0
  7. NVJD5121NT1G

Транзисторы многоканальные NVJD5121NT1G

 
NVJD5121NT1G
 
ONSEMI
Артикул: 390049
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,212А; 0,25Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
10.12 грн
25+
8.68 грн
100+
7.73 грн
140+
7.16 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 210 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061) SC70-6(1491172) SC88(1492436)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,212А(1805610)
Сопротивление в открытом состоянии
1,6Ом(1501020)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,25Вт(1701903)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,016 g
 
Транзисторы многоканальные NVJD5121NT1G
ONSEMI
Артикул: 390049
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 0,212А; 0,25Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
10.12 грн
25+
8.68 грн
100+
7.73 грн
140+
7.16 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 210 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Корпус
SC70-6
Корпус
SC88
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,212А
Сопротивление в открытом состоянии
1,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,016 g