0 0 0
  8. RFD12N06RLESM9A

Транзисторы с каналом N SMD RFD12N06RLESM9A

 
RFD12N06RLESM9A
 
ONSEMI
Артикул: 077357
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; 49Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
75.52 грн
5+
57.30 грн
22+
45.46 грн
60+
42.98 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1589 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ON SEMICONDUCTOR(41)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DPAK(1440836)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
8А(1441287)
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм(1479133)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
49Вт(1741797)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
15нC(1479067)
Технология
UltraFET®(1632967)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,385 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RFD12N06RLESM9A
ONSEMI
Артикул: 077357
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8А; 49Вт; DPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
75.52 грн
5+
57.30 грн
22+
45.46 грн
60+
42.98 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1589 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ON SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DPAK
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
8А
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
49Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
15нC
Технология
UltraFET®
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,385 g