0 0 0
  8. PJA3413_R1_00001

Транзисторы с каналом P SMD PJA3413_R1_00001

 
PJA3413_R1_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 854794
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,4А; Idm: -13,6А; 1,25Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.90 грн
50+
4.16 грн
250+
3.75 грн
320+
3.06 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 2940 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-3,4А(1479073)
Сопротивление в открытом состоянии
146мОм(1632959)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
7нC(1479104)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-13,6А(1908875)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g
 
Транзисторы с каналом P SMD PJA3413_R1_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 854794
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,4А; Idm: -13,6А; 1,25Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.90 грн
50+
4.16 грн
250+
3.75 грн
320+
3.06 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 2940 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-3,4А
Сопротивление в открытом состоянии
146мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
7нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-13,6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g