0 0 0
  8. PJMF190N60E1_T0_00001

Транзисторы с каналом N THT PJMF190N60E1_T0_00001

 
PJMF190N60E1_T0_00001
 
PanJit Semiconductor
Артикул: 855188
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; Idm: 60А; 38Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
147.96 грн
3+
133.79 грн
9+
110.97 грн
25+
104.67 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
PanJit Semiconductor(1891)
Монтаж
THT(1436576)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
20А(1441300)
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом(1492557)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
38Вт(1449556)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
40нC(1479263)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
60А(1741654)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT PJMF190N60E1_T0_00001
PanJit Semiconductor
Артикул: 855188
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 20А; Idm: 60А; 38Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
147.96 грн
3+
133.79 грн
9+
110.97 грн
25+
104.67 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
PanJit Semiconductor
Монтаж
THT
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
20А
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
38Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
40нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
60А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g