0 0 0
  8. QS5U21TR

Транзисторы с каналом P SMD QS5U21TR

 
QS5U21TR
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759178
Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.77 грн
25+
16.95 грн
75+
13.30 грн
204+
12.59 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOT25(1628277)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-1,5А(1492280)
Сопротивление в открытом состоянии
0,34Ом(1459324)
Тип транзистора
P-MOSFET + Schottky(1667411)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
4,2нC(1479179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-6А(1810531)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD QS5U21TR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 759178
Транзистор: P-MOSFET + Schottky; полевой; -20В; -1,5А; Idm: -6А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.77 грн
25+
16.95 грн
75+
13.30 грн
204+
12.59 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSOT25
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-1,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,34Ом
Тип транзистора
P-MOSFET + Schottky
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
4,2нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g