0 0 0
  8. RE1J002YNTCL

Транзисторы с каналом N SMD RE1J002YNTCL

 
RE1J002YNTCL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733153
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
4.44 грн
100+
4.02 грн
320+
3.32 грн
840+
3.17 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  20
Колличество: 2240 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT416F(1951153)
Напряжение сток-исток
50В(1441356)
Ток стока
0,2А(1644064)
Сопротивление в открытом состоянии
9Ом(1441411)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,15Вт(1701904)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,8А(1741653)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,016 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RE1J002YNTCL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733153
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
4.44 грн
100+
4.02 грн
320+
3.32 грн
840+
3.17 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  20
Колличество: 2240 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT416F
Напряжение сток-исток
50В
Ток стока
0,2А
Сопротивление в открытом состоянии
9Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,15Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,016 g