0 0 0
  8. RGT50NS65DGC9

Транзисторы IGBT THT RGT50NS65DGC9

 
RGT50NS65DGC9
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686018
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 97Вт; TO262
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
211.15 грн
5+
190.51 грн
7+
148.44 грн
19+
140.50 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO262(1478942)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
25А(1440980)
Ток коллектора в импульсе
75А(1694309)
Время включения
65нс(1626412)
Время выключения
210нс(1712985)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
97Вт(1740749)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
49нC(1479032)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы IGBT THT RGT50NS65DGC9
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 686018
Транзистор: IGBT; 650В; 25А; 97Вт; TO262
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
211.15 грн
5+
190.51 грн
7+
148.44 грн
19+
140.50 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO262
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
25А
Ток коллектора в импульсе
75А
Время включения
65нс
Время выключения
210нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
97Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
49нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g