0 0 0
  8. RGTH00TS65DGC11

Транзисторы IGBT THT RGTH00TS65DGC11

 
RGTH00TS65DGC11
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 670940
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 138Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
339.26 грн
4+
256.63 грн
11+
243.12 грн
90+
242.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±30В(1645199)
Ток коллектора
50А(1440988)
Ток коллектора в импульсе
200А(1441618)
Время включения
102нс(1942541)
Время выключения
221нс(1750748)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
138Вт(1740788)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
94нC(1634351)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы IGBT THT RGTH00TS65DGC11
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 670940
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 138Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
339.26 грн
4+
256.63 грн
11+
243.12 грн
90+
242.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±30В
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
200А
Время включения
102нс
Время выключения
221нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
138Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
94нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g