0 0 0
  8. RQ5E035BNTCL

Транзисторы с каналом N SMD RQ5E035BNTCL

 
RQ5E035BNTCL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733302
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 12А; 1Вт; TSMT3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.34 грн
25+
10.32 грн
100+
8.26 грн
140+
7.30 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSMT3(1951159)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
2,5А(1441399)
Сопротивление в открытом состоянии
56мОм(1479311)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
6нC(1479087)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
12А(1741665)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RQ5E035BNTCL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733302
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,5А; Idm: 12А; 1Вт; TSMT3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.34 грн
25+
10.32 грн
100+
8.26 грн
140+
7.30 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSMT3
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
2,5А
Сопротивление в открытом состоянии
56мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
6нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g