0 0 0
  8. RSR010N10HZGTL

Транзисторы с каналом N SMD RSR010N10HZGTL

 
RSR010N10HZGTL
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733183
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1А; Idm: 4А; 1Вт; TSMT3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
49.09 грн
53+
19.32 грн
144+
18.29 грн
6000+
17.81 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSMT3(1951159)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
1А(1441586)
Сопротивление в открытом состоянии
0,58Ом(1790171)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
3,5нC(1479135)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
4А(1709876)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD RSR010N10HZGTL
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 733183
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1А; Idm: 4А; 1Вт; TSMT3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
49.09 грн
53+
19.32 грн
144+
18.29 грн
6000+
17.81 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
TSMT3
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
1А
Сопротивление в открытом состоянии
0,58Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
3,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
4А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g