0 0 0
  8. RZM002P02T2L

Транзисторы с каналом P SMD RZM002P02T2L

 
RZM002P02T2L
 
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 622614
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,2А; Idm: -0,8А; 150мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.98 грн
100+
5.38 грн
220+
4.61 грн
595+
4.35 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 6305 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT723(1636473)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-200мА(1536866)
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом(1441394)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,15Вт(1701904)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-0,8А(1709889)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,007 g
 
Транзисторы с каналом P SMD RZM002P02T2L
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 622614
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,2А; Idm: -0,8А; 150мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.98 грн
100+
5.38 грн
220+
4.61 грн
595+
4.35 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  5
Колличество: 6305 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT723
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-200мА
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,15Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-0,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,007 g