Транзисторы многоканальные UT6JA3TCR

 
UT6JA3TCR
 
Артикул: 739966
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -5А; Idm: -12А; 2Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
23.04 грн
25+
22.01 грн
57+
17.32 грн
157+
16.37 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR(1284)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN2020D-8(1951163)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-5А(1492225)
Сопротивление в открытом состоянии
0,118Ом(1790183)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
6,5нC(1619508)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-12А(1801470)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g
 
Транзисторы многоканальные UT6JA3TCR
ROHM SEMICONDUCTOR
Артикул: 739966
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -5А; Idm: -12А; 2Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
23.04 грн
25+
22.01 грн
57+
17.32 грн
157+
16.37 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ROHM SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFN2020D-8
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,118Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
6,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,01 g