Транзисторы с каналом N THT P12F60HP2-5600

 
P12F60HP2-5600
 
Артикул: 449673
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 12А; Idm: 48А; 90Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
85.86 грн
5+
77.28 грн
15+
68.69 грн
40+
64.79 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 340 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
FTO-200AG (SC91)(1829956)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
12А(1441370)
Сопротивление в открытом состоянии
670мОм(1823187)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
90Вт(1701929)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
россыпью(1437815)
Заряд затвора
26,5нC(1609899)
Технология
Hi-PotMOS2(1829961)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
48А(1741686)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,553 g
 
Транзисторы с каналом N THT P12F60HP2-5600
SHINDENGEN
Артикул: 449673
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 12А; Idm: 48А; 90Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
85.86 грн
5+
77.28 грн
15+
68.69 грн
40+
64.79 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 340 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
SHINDENGEN
Монтаж
THT
Корпус
FTO-200AG (SC91)
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
12А
Сопротивление в открытом состоянии
670мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
90Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
россыпью
Заряд затвора
26,5нC
Технология
Hi-PotMOS2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
48А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,553 g