0 0 0
  8. P3F60HP2-5600

Транзисторы с каналом N THT P3F60HP2-5600

 
P3F60HP2-5600
 
SHINDENGEN
Артикул: 449689
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 3А; Idm: 12А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.73 грн
5+
47.59 грн
25+
42.75 грн
28+
36.67 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 86 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
SHINDENGEN(1667)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
FTO-200AG (SC91)(1829956)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
3А(1441397)
Сопротивление в открытом состоянии
2,3Ом(1441601)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
52,5Вт(1741838)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
россыпью(1437815)
Заряд затвора
10нC(1479106)
Технология
Hi-PotMOS2(1829961)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
12А(1741665)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,548 g
 
Транзисторы с каналом N THT P3F60HP2-5600
SHINDENGEN
Артикул: 449689
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; полевой; 600В; 3А; Idm: 12А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.73 грн
5+
47.59 грн
25+
42.75 грн
28+
36.67 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 86 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
SHINDENGEN
Монтаж
THT
Корпус
FTO-200AG (SC91)
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
3А
Сопротивление в открытом состоянии
2,3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
52,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
россыпью
Заряд затвора
10нC
Технология
Hi-PotMOS2
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,548 g