0 0 0
  7. GD50FSX65L2S

Модули IGBT GD50FSX65L2S

 
GD50FSX65L2S
 
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 732071
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 50А; L2.1
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 384.58 грн
2+
2 254.72 грн
24+
2 193.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.(1832)
Корпус
L2.1(1950608)
Обратное напряжение макс.
650В(1440613)
Конструкция диода
транзистор/транзистор(1612519)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
50А(1440988)
Ток коллектора в импульсе
100А(1441718)
Электрический монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
Trench FS IGBT(1950591)
Топология
термистор NTC(1612513) IGBT three-phase bridge OE output(1951549)
Дополнительная информация: Масса брутто: 24 g
 
Модули IGBT GD50FSX65L2S
STARPOWER SEMICONDUCTOR
Артикул: 732071
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 50А; L2.1
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 384.58 грн
2+
2 254.72 грн
24+
2 193.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Корпус
L2.1
Обратное напряжение макс.
650В
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
100А
Электрический монтаж
Press-in PCB
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
Trench FS IGBT
Топология
термистор NTC
Топология
IGBT three-phase bridge OE output
Дополнительная информация: Масса брутто: 24 g