0 0 0
  8. STB100N10F7

Транзисторы с каналом N SMD STB100N10F7

 
STB100N10F7
 
STMicroelectronics
Артикул: 778655
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; полевой; 100В; 70А; Idm: 320А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
196.64 грн
8+
126.86 грн
22+
120.52 грн
200+
117.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
70А(1441315)
Сопротивление в открытом состоянии
8мОм(1479233)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
150Вт(1701910)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
61нC(1479027)
Технология
STripFET™ F7(1786522)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
320А(1741662)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STB100N10F7
STMicroelectronics
Артикул: 778655
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; полевой; 100В; 70А; Idm: 320А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
196.64 грн
8+
126.86 грн
22+
120.52 грн
200+
117.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
70А
Сопротивление в открытом состоянии
8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
150Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
61нC
Технология
STripFET™ F7
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
320А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g