0 0 0
  8. STB24N60DM2

Транзисторы с каналом N SMD STB24N60DM2

 
STB24N60DM2
 
STMicroelectronics
Артикул: 077469
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; 150Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
310.63 грн
5+
225.77 грн
12+
214.10 грн
100+
205.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
11А(1479209)
Сопротивление в открытом состоянии
0,2Ом(1492329)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
150Вт(1701910)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,769 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STB24N60DM2
STMicroelectronics
Артикул: 077469
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 11А; 150Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
310.63 грн
5+
225.77 грн
12+
214.10 грн
100+
205.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
11А
Сопротивление в открытом состоянии
0,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
150Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,769 g