0 0 0
  8. STB40NF10LT4

Транзисторы с каналом N SMD STB40NF10LT4

 
STB40NF10LT4
 
STMicroelectronics
Артикул: 077475
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 25А; 150Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
94.58 грн
5+
82.95 грн
18+
56.59 грн
48+
53.49 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1437 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
25А(1441383)
Сопротивление в открытом состоянии
36мОм(1479276)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
150Вт(1701910)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,75 g
 
Транзисторы с каналом N SMD STB40NF10LT4
STMicroelectronics
Артикул: 077475
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 25А; 150Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
94.58 грн
5+
82.95 грн
18+
56.59 грн
48+
53.49 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1437 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
25А
Сопротивление в открытом состоянии
36мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
150Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,75 g