0 0 0
  8. STF11NM80

Транзисторы с каналом N THT STF11NM80

 
STF11NM80
 
STMicroelectronics
Артикул: 079963
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; 35Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
326.88 грн
3+
282.06 грн
5+
199.37 грн
14+
188.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 167 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
11А(1479209)
Сопротивление в открытом состоянии
0,4Ом(1492230)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
35Вт(1707246)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
MDmesh™(1611363)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,702 g
 
Транзисторы с каналом N THT STF11NM80
STMicroelectronics
Артикул: 079963
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; 35Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
326.88 грн
3+
282.06 грн
5+
199.37 грн
14+
188.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 167 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
11А
Сопротивление в открытом состоянии
0,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
35Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
MDmesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,702 g