0 0 0
  8. STF13N80K5

Транзисторы с каналом N THT STF13N80K5

 
STF13N80K5
 
STMicroelectronics
Артикул: 079966
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; полевой; 800В; 7,6А; 35Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
294.43 грн
3+
248.06 грн
6+
190.10 грн
15+
179.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 49 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
7,6А(1479167)
Сопротивление в открытом состоянии
0,45Ом(1638676)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
35Вт(1707246)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMESH5™(1827829)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,7 g
 
Транзисторы с каналом N THT STF13N80K5
STMicroelectronics
Артикул: 079966
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH5™; полевой; 800В; 7,6А; 35Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
294.43 грн
3+
248.06 грн
6+
190.10 грн
15+
179.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 49 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
7,6А
Сопротивление в открытом состоянии
0,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
35Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMESH5™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,7 g