0 0 0
  8. STF16N65M5

Транзисторы с каналом N THT STF16N65M5

 
STF16N65M5
 
STMicroelectronics
Артикул: 079971
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; полевой; 650В; 7,3А; 90Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
231.68 грн
3+
209.13 грн
6+
166.37 грн
17+
157.82 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 21 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
7,3А(1479166)
Сопротивление в открытом состоянии
0,279Ом(1638680)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
90Вт(1701929)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
MDmesh™ V(1827832)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,667 g
 
Транзисторы с каналом N THT STF16N65M5
STMicroelectronics
Артикул: 079971
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; полевой; 650В; 7,3А; 90Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
231.68 грн
3+
209.13 грн
6+
166.37 грн
17+
157.82 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 21 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
7,3А
Сопротивление в открытом состоянии
0,279Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
90Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
MDmesh™ V
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,667 g