0 0 0
  8. STF19NF20

Транзисторы с каналом N THT STF19NF20

 
STF19NF20
 
STMicroelectronics
Артикул: 079973
Транзистор: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; полевой; 200В; 9,45А; 25Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
119.78 грн
3+
113.60 грн
10+
107.41 грн
16+
64.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 100 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
9,45А(1638654)
Сопротивление в открытом состоянии
0,16Ом(1492490)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
25Вт(1507409)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
MESH OVERLAY™(1827834)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,695 g
 
Транзисторы с каналом N THT STF19NF20
STMicroelectronics
Артикул: 079973
Транзистор: N-MOSFET; MESH OVERLAY™; полевой; 200В; 9,45А; 25Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
119.78 грн
3+
113.60 грн
10+
107.41 грн
16+
64.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 100 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
9,45А
Сопротивление в открытом состоянии
0,16Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
MESH OVERLAY™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,695 g