0 0 0
  8. STGB6NC60HDT4

Транзисторы IGBT SMD STGB6NC60HDT4

 
STGB6NC60HDT4
 
STMicroelectronics
Артикул: 947168
Транзистор: IGBT; 600В; 7А; 62,5Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
88.11 грн
5+
79.38 грн
17+
60.33 грн
47+
57.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
7А(1440930)
Ток коллектора в импульсе
21А(1775347)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
62,5Вт(1702079)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
13,6нC(1609781)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы IGBT SMD STGB6NC60HDT4
STMicroelectronics
Артикул: 947168
Транзистор: IGBT; 600В; 7А; 62,5Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
88.11 грн
5+
79.38 грн
17+
60.33 грн
47+
57.15 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
7А
Ток коллектора в импульсе
21А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
62,5Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
13,6нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g