0 0 0
  8. STGW10M65DF2

Транзисторы IGBT THT STGW10M65DF2

 
STGW10M65DF2
 
STMicroelectronics
Артикул: 947752
Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 115Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
131.53 грн
3+
118.85 грн
10+
110.13 грн
12+
89.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
10А(1440949)
Ток коллектора в импульсе
40А(1645250)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
115Вт(1702082)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
28нC(1479173)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы IGBT THT STGW10M65DF2
STMicroelectronics
Артикул: 947752
Транзистор: IGBT; 650В; 10А; 115Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
131.53 грн
3+
118.85 грн
10+
110.13 грн
12+
89.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
10А
Ток коллектора в импульсе
40А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
115Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
28нC
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g