0 0 0
  8. STP12NK80Z

Транзисторы с каналом N THT STP12NK80Z

 
STP12NK80Z
 
STMicroelectronics
Артикул: 080020
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 6,6А; 190Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
170.16 грн
3+
150.19 грн
9+
111.05 грн
25+
105.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 96 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
6,6А(1479161)
Сопротивление в открытом состоянии
0,75Ом(1492227)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
190Вт(1740822)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,025 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP12NK80Z
STMicroelectronics
Артикул: 080020
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 6,6А; 190Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
170.16 грн
3+
150.19 грн
9+
111.05 грн
25+
105.45 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 96 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
6,6А
Сопротивление в открытом состоянии
0,75Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
190Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,025 g