0 0 0
  8. STP18N65M5

Транзисторы с каналом N THT STP18N65M5

 
STP18N65M5
 
STMicroelectronics
Артикул: 725229
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; полевой; 650В; 9,4А; Idm: 60А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
232.58 грн
3+
208.77 грн
6+
168.29 грн
17+
158.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
9,4А(1479194)
Сопротивление в открытом состоянии
0,22Ом(1702962)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
110Вт(1701955)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
31нC(1479192)
Технология
MDmesh™ M5(1862345)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
60А(1741654)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP18N65M5
STMicroelectronics
Артикул: 725229
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; полевой; 650В; 9,4А; Idm: 60А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
232.58 грн
3+
208.77 грн
6+
168.29 грн
17+
158.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
9,4А
Сопротивление в открытом состоянии
0,22Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
110Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
31нC
Технология
MDmesh™ M5
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
60А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g