0 0 0
  8. STP22N60M6

Транзисторы с каналом N THT STP22N60M6

 
STP22N60M6
 
STMicroelectronics
Артикул: 780608
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; полевой; 600В; 9,5А; Idm: 42А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
189.58 грн
5+
171.26 грн
7+
157.72 грн
18+
149.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
9,5А(1479197)
Сопротивление в открытом состоянии
0,23Ом(1503652)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
130Вт(1701963)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
20нC(1479267)
Технология
MDmesh™ M6(1827833)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
42А(1789234)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP22N60M6
STMicroelectronics
Артикул: 780608
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; полевой; 600В; 9,5А; Idm: 42А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
189.58 грн
5+
171.26 грн
7+
157.72 грн
18+
149.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
9,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,23Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
130Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
20нC
Технология
MDmesh™ M6
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
42А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g