0 0 0
  8. STP32NM50N

Транзисторы с каналом N THT STP32NM50N

 
STP32NM50N
 
STMicroelectronics
Артикул: 780582
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ ||; полевой; 500В; 13,86А; Idm: 88А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
284.37 грн
5+
255.70 грн
6+
196.75 грн
14+
185.60 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
13,86А(1906012)
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом(1492358)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
190Вт(1740822)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
62,5нC(1906013)
Технология
MDmesh™ ||(1827830)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
88А(1789233)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP32NM50N
STMicroelectronics
Артикул: 780582
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ ||; полевой; 500В; 13,86А; Idm: 88А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
284.37 грн
5+
255.70 грн
6+
196.75 грн
14+
185.60 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
13,86А
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
190Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
62,5нC
Технология
MDmesh™ ||
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
88А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g