0 0 0
  8. STP33N60DM6

Транзисторы с каналом N THT STP33N60DM6

 
STP33N60DM6
 
STMicroelectronics
Артикул: 436914
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; полевой; 600В; 16А; Idm: 80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
296.42 грн
3+
267.02 грн
5+
205.83 грн
14+
194.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
16А(1441522)
Сопротивление в открытом состоянии
128мОм(1713748)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
190Вт(1740822)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
35нC(1479287)
Технология
MDmesh™ M6(1827833)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,975 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP33N60DM6
STMicroelectronics
Артикул: 436914
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; полевой; 600В; 16А; Idm: 80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
296.42 грн
3+
267.02 грн
5+
205.83 грн
14+
194.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
16А
Сопротивление в открытом состоянии
128мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
190Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
35нC
Технология
MDmesh™ M6
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,975 g