Транзисторы с каналом N THT STP65N045M9

 
STP65N045M9
 
Артикул: 791907
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M9; полевой; 650В; 35А; Idm: 170А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
916.09 грн
2+
658.66 грн
5+
622.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
35А(1441492)
Сопротивление в открытом состоянии
45мОм(1441266)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
245Вт(1741925)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
80нC(1479275)
Технология
MDmesh™ M9(1952776)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
170А(1789213)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP65N045M9
STMicroelectronics
Артикул: 791907
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M9; полевой; 650В; 35А; Idm: 170А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
916.09 грн
2+
658.66 грн
5+
622.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
35А
Сопротивление в открытом состоянии
45мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
245Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
80нC
Технология
MDmesh™ M9
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
170А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g