0 0 0
  8. STP6NK60Z

Транзисторы с каналом N THT STP6NK60Z

 
STP6NK60Z
 
STMicroelectronics
Артикул: 080098
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3,8А; 110Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
72.30 грн
3+
65.15 грн
10+
58.00 грн
19+
52.44 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
3,8А(1479129)
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом(1441394)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
110Вт(1701955)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMesh™(1710456)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,962 g
 
Транзисторы с каналом N THT STP6NK60Z
STMicroelectronics
Артикул: 080098
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 3,8А; 110Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
72.30 грн
3+
65.15 грн
10+
58.00 грн
19+
52.44 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
3,8А
Сопротивление в открытом состоянии
1,2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
110Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMesh™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,962 g