0 0 0
  8. STU4N52K3

Транзисторы с каналом N THT STU4N52K3

 
STU4N52K3
 
STMicroelectronics
Артикул: 080137
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH3™; полевой; 525В; 2А; 45Вт; IPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
30.13 грн
25+
27.04 грн
48+
20.69 грн
130+
19.58 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 302 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
IPAK(1479005)
Напряжение сток-исток
525В(1638668)
Ток стока
2А(1441386)
Сопротивление в открытом состоянии
2,6Ом(1441376)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
45Вт(1607948)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
SuperMESH3™(1827838)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,379 g
 
Транзисторы с каналом N THT STU4N52K3
STMicroelectronics
Артикул: 080137
Транзистор: N-MOSFET; SuperMESH3™; полевой; 525В; 2А; 45Вт; IPAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
30.13 грн
25+
27.04 грн
48+
20.69 грн
130+
19.58 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 302 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
IPAK
Напряжение сток-исток
525В
Ток стока
2А
Сопротивление в открытом состоянии
2,6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
45Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
SuperMESH3™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,379 g