0 0 0
  8. STW27N60M2-EP

Транзисторы с каналом N THT STW27N60M2-EP

 
STW27N60M2-EP
 
STMicroelectronics
Артикул: 542387
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; Idm: 80А; 170Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
243.01 грн
5+
218.39 грн
6+
180.27 грн
15+
170.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
ST MICROELECTRONICS(35)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
13А(1441372)
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
170Вт(1740761)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
33нC(1479084)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT STW27N60M2-EP
STMicroelectronics
Артикул: 542387
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 13А; Idm: 80А; 170Вт; TO247
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
243.01 грн
5+
218.39 грн
6+
180.27 грн
15+
170.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
ST MICROELECTRONICS
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
13А
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
170Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
33нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g