0 0 0
  8. TLD8S10AH

Диоды transil SMD однонаправленные TLD8S10AH

 
TLD8S10AH
 
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 663721
Диод: TVS; 6,6кВт; 11,1÷12,3В; 388А; однонаправленный; ±5%; DO218AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
418.33 грн
4+
332.60 грн
9+
314.34 грн
100+
302.44 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR(42)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DO218AB(1737075)
Погрешность
±5%(1819321)
Обратное напряжение макс.
10В(1440549)
Конструкция диода
однонаправленный(1440398)
Импульсный ток
388А(1912210)
Напряжение пробоя
11,1...12,3В(1666908)
Ток утечки
15мкА(1639681)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный(1440400)
Peak pulse power dissipation
6,6кВт(1911783)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,677 g
 
Диоды transil SMD однонаправленные TLD8S10AH
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Артикул: 663721
Диод: TVS; 6,6кВт; 11,1÷12,3В; 388А; однонаправленный; ±5%; DO218AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
418.33 грн
4+
332.60 грн
9+
314.34 грн
100+
302.44 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DO218AB
Погрешность
±5%
Обратное напряжение макс.
10В
Конструкция диода
однонаправленный
Импульсный ток
388А
Напряжение пробоя
11,1...12,3В
Ток утечки
15мкА
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный
Peak pulse power dissipation
6,6кВт
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,677 g