0 0 0
  8. CSD17577Q3AT

Транзисторы с каналом N SMD CSD17577Q3AT

 
CSD17577Q3AT
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 075880
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 35А; 53Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
104.33 грн
5+
88.10 грн
16+
64.15 грн
43+
60.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 185 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
VSONP8(1814810)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
35А(1441492)
Сопротивление в открытом состоянии
5,3мОм(1479527)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
53Вт(1740746)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Размеры
3,3x3,3мм(1814799)
Заряд затвора
12нC(1479115)
Технология
NexFET™(1693688)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,055 g
 
Транзисторы с каналом N SMD CSD17577Q3AT
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 075880
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 35А; 53Вт; VSONP8; 3,3x3,3мм
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
104.33 грн
5+
88.10 грн
16+
64.15 грн
43+
60.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 185 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
VSONP8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
35А
Сопротивление в открытом состоянии
5,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
53Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Размеры
3,3x3,3мм
Заряд затвора
12нC
Технология
NexFET™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,055 g