0 0 0
  8. CSD19501KCS

Транзисторы с каналом N THT CSD19501KCS

 
CSD19501KCS
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 078092
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 217Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
161.58 грн
3+
149.09 грн
9+
114.74 грн
24+
108.50 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 213 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
5,5мОм(1441296)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
217Вт(1741759)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
38нC(1479182)
Технология
NexFET™(1693688)
Толщина радитора
1,14...1,4мм(1443476)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,955 g
 
Транзисторы с каналом N THT CSD19501KCS
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 078092
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 100А; 217Вт; TO220-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
161.58 грн
3+
149.09 грн
9+
114.74 грн
24+
108.50 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 213 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
5,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
217Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
38нC
Технология
NexFET™
Толщина радитора
1,14...1,4мм
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,955 g