0 0 0
  8. CSD25485F5T

Транзисторы с каналом P SMD CSD25485F5T

 
CSD25485F5T
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 622816
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,3А; Idm: -31А; 1,4Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.77 грн
5+
52.75 грн
23+
43.22 грн
63+
40.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PICOSTAR3(1908878)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-5,3А(1479053)
Сопротивление в открытом состоянии
0,25Ом(1459322)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,4Вт(1449373)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Технология
NexFET™(1693688)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-31А(1908867)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g
 
Транзисторы с каналом P SMD CSD25485F5T
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 622816
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -5,3А; Idm: -31А; 1,4Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
62.77 грн
5+
52.75 грн
23+
43.22 грн
63+
40.84 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
PICOSTAR3
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-5,3А
Сопротивление в открытом состоянии
0,25Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Технология
NexFET™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-31А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g