0 0 0
  7. CSD75208W1015T

Транзисторы многоканальные CSD75208W1015T

 
CSD75208W1015T
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 555981
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -1,6А; Idm: -22А; 0,75Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.87 грн
5+
58.74 грн
21+
47.81 грн
56+
45.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DSBGA6(1494784)
Конструкция диода
общий источник(1694449)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-1,6А(1492339)
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом(1492413)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
0,75Вт(1742053)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
NexFET™(1693688)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-22А(1741674)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g
 
Транзисторы многоканальные CSD75208W1015T
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 555981
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -1,6А; Idm: -22А; 0,75Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.87 грн
5+
58.74 грн
21+
47.81 грн
56+
45.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Корпус
DSBGA6
Конструкция диода
общий источник
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-1,6А
Сопротивление в открытом состоянии
0,15Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,75Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
NexFET™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-22А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,001 g