0 0 0
  7. ISO5452DW

Драйверы MOSFET/IGBT ISO5452DW

 
ISO5452DW
 
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 472975
IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO16-W; -5÷2,5А; Ch: 2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
361.29 грн
3+
325.40 грн
4+
258.40 грн
11+
244.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS(77)
Монтаж
SMD(1436750)
Рабочая температура
-40...125°C(1819335)
Корпус
SO16-W(1443874)
Напряжение питания
15...30В DC(1494433)
Выходной ток
-5...2,5А(1839167)
Тип микросхемы
driver(1443705)
Время нарастания импульса
35нс(1605693)
Время падения импульса
37нс(1839168)
Кол-во каналов
2(1443907)
Напряжение изоляции
5,7кВ(1815347)
Входное напряжение
2,25...5,5В(1502149)
Характеристики интегральных схем
гальваническая развязка(1706586)
Вид упаковки
туба(1443467)
Защита
от снижения напряжения(1600603)
Вид микросхемы
high-/low-side(1503921) контроллер затвора(1617856)
Топология
полумост MOSFET(1612559) полумост IGBT(1612529)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,43 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT ISO5452DW
TEXAS INSTRUMENTS
Артикул: 472975
IC: driver; полумост IGBT,полумост MOSFET; SO16-W; -5÷2,5А; Ch: 2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
361.29 грн
3+
325.40 грн
4+
258.40 грн
11+
244.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
TEXAS INSTRUMENTS
Монтаж
SMD
Рабочая температура
-40...125°C
Корпус
SO16-W
Напряжение питания
15...30В DC
Выходной ток
-5...2,5А
Тип микросхемы
driver
Время нарастания импульса
35нс
Время падения импульса
37нс
Кол-во каналов
2
Напряжение изоляции
5,7кВ
Входное напряжение
2,25...5,5В
Характеристики интегральных схем
гальваническая развязка
Вид упаковки
туба
Защита
от снижения напряжения
Вид микросхемы
high-/low-side
Вид микросхемы
контроллер затвора
Топология
полумост MOSFET
Топология
полумост IGBT
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,43 g