Транзистори багатоканальні AOC3878

 
AOC3878
 
Артикул: 000060
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 3,1Вт; DFN10
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
55.28 грн
3+
36.05 грн
10+
31.76 грн
36+
27.64 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR(612)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN10(1444000)
Структура напівпровідника
загальний дренаж(1609794)
Напруга сток-джерело
12В(1441274)
Опір в стані провідності
2мОм(1479588)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
3,1Вт(1449545)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
60нКл(1479310)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори багатоканальні AOC3878
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Артикул: 000060
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 12В; 3,1Вт; DFN10
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
55.28 грн
3+
36.05 грн
10+
31.76 грн
36+
27.64 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFN10
Структура напівпровідника
загальний дренаж
Напруга сток-джерело
12В
Опір в стані провідності
2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
3,1Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
60нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g