0 0 0
  7. AON6810

Транзистори багатоканальні AON6810

 
AON6810
 
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Артикул: 000091
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 16А; 12,5Вт; DFN5x6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
57.96 грн
3+
52.55 грн
10+
46.45 грн
25+
40.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR(612)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DFN5x6(1775115)
Структура напівпровідника
загальний дренаж(1609794)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
16А(1441522)
Опір в стані провідності
4,4мОм(1479260)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
12,5Вт(1702060)
Поляризація
польовий(1441242)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711) integrated temp sense diode(1775288)
Заряд затвора
11нКл(1479181)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори багатоканальні AON6810
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Артикул: 000091
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 16А; 12,5Вт; DFN5x6
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
57.96 грн
3+
52.55 грн
10+
46.45 грн
25+
40.34 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
DFN5x6
Структура напівпровідника
загальний дренаж
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
16А
Опір в стані провідності
4,4мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
12,5Вт
Поляризація
польовий
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Властивості напівпровідникових елементів
integrated temp sense diode
Заряд затвора
11нКл
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g