0 0 0
  8. B1M080120HC

Транзистори з каналом N THT B1M080120HC

 
B1M080120HC
 
BASiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 606171
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 152.90 грн
3+
1 090.46 грн
150+
1 077.97 грн
600+
1 048.31 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 44 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
BASiC SEMICONDUCTOR(1805)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
27А(1441591)
Опір в стані провідності
80мОм(1441523)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
241Вт(1741832)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
149нКл(1745937)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-5...20В(1981130)
Струм стоку в імпульсі
80А(1758518)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,26 g
 
Транзистори з каналом N THT B1M080120HC
BASiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 606171
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 27А; Idm: 80А; 241Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 152.90 грн
3+
1 090.46 грн
150+
1 077.97 грн
600+
1 048.31 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 44 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
BASiC SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
27А
Опір в стані провідності
80мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
241Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
149нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-5...20В
Струм стоку в імпульсі
80А
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,26 g