0 0 0
  8. B2M032120Y

Транзистори з каналом N THT B2M032120Y

 
B2M032120Y
 
BASiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 1152270
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 60А; Idm: 190А; 375Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 328.45 грн
2+
917.68 грн
3+
867.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 60 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
BASiC SEMICONDUCTOR(1805)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247PLUS-4(1739902)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
60А(1441312)
Опір в стані провідності
50мОм(1441532)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
375Вт(1741741)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
40нКл(1479263)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-4...18В(1981581)
Струм стоку в імпульсі
190А(1790422)
Додаткова інформація: Маса брутто: 7,01 g
 
Транзистори з каналом N THT B2M032120Y
BASiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 1152270
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 60А; Idm: 190А; 375Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 328.45 грн
2+
917.68 грн
3+
867.62 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 60 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
BASiC SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247PLUS-4
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
60А
Опір в стані провідності
50мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
375Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
40нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-4...18В
Струм стоку в імпульсі
190А
Додаткова інформація: Маса брутто: 7,01 g