0 0 0
  8. BGH50N65HS1

Транзистори IGBT THT BGH50N65HS1

 
BGH50N65HS1
 
BASiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 627498
Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; 357Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
971.46 грн
2+
703.03 грн
4+
664.68 грн
150+
646.31 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 37 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
BASiC SEMICONDUCTOR(1805)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
650В(1478928)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
50А(1440988)
Струм колектора в імпульсі
200А(1441618)
Час ввімкнення
54нс(1717727)
Час вимкнення
256нс(1757711)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
357Вт(1740831)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
308нКл(1705680)
Технологія
Trench(1712977) Field Stop(1814742) SiC SBD(1929901)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,26 g
 
Транзистори IGBT THT BGH50N65HS1
BASiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 627498
Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; 357Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
971.46 грн
2+
703.03 грн
4+
664.68 грн
150+
646.31 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 37 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
BASiC SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
650В
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
50А
Струм колектора в імпульсі
200А
Час ввімкнення
54нс
Час вимкнення
256нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
357Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
308нКл
Технологія
Trench
Технологія
Field Stop
Технологія
SiC SBD
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,26 g