0 0 0
  8. BGH75N120HF1

Транзистори IGBT THT BGH75N120HF1

 
BGH75N120HF1
 
BASiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 784729
Транзистор: IGBT; SiC SBD; 1,2кВ; 75А; 568Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
872.39 грн
2+
610.36 грн
5+
576.80 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 81 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
BASiC SEMICONDUCTOR(1805)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
1,2кВ(1440895)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
75А(1441616)
Струм колектора в імпульсі
200А(1441618)
Час ввімкнення
140нс(1441671)
Час вимкнення
443нс(1957877)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
568Вт(1742042)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
398нКл(1957875)
Технологія
Trench(1712977) Field Stop(1814742) SiC SBD(1929901)
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,217 g
 
Транзистори IGBT THT BGH75N120HF1
BASiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 784729
Транзистор: IGBT; SiC SBD; 1,2кВ; 75А; 568Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
872.39 грн
2+
610.36 грн
5+
576.80 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 81 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
BASiC SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
1,2кВ
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
75А
Струм колектора в імпульсі
200А
Час ввімкнення
140нс
Час вимкнення
443нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
568Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
398нКл
Технологія
Trench
Технологія
Field Stop
Технологія
SiC SBD
Додаткова інформація: Маса брутто: 6,217 g