0 0 0
  8. BGH75N65HF1

Транзистори IGBT THT BGH75N65HF1

 
BGH75N65HF1
 
BASiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 627499
Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 75А; 405Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
841.24 грн
2+
631.93 грн
5+
597.57 грн
150+
574.41 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
BASiC SEMICONDUCTOR(1805)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напруги колектор-емітер
650В(1478928)
Напруга затвор - емітер
±20В(1628461)
Струм колектора
75А(1441616)
Струм колектора в імпульсі
300А(1441736)
Час ввімкнення
104нс(1742889)
Час вимкнення
376нс(1713009)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Потужність розсіювання
405Вт(1742104)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
444нКл(1957874)
Технологія
Trench(1712977) Field Stop(1814742) SiC SBD(1929901)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори IGBT THT BGH75N65HF1
BASiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 627499
Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 75А; 405Вт; TO247-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
841.24 грн
2+
631.93 грн
5+
597.57 грн
150+
574.41 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
BASiC SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напруги колектор-емітер
650В
Напруга затвор - емітер
±20В
Струм колектора
75А
Струм колектора в імпульсі
300А
Час ввімкнення
104нс
Час вимкнення
376нс
Тип транзистора
IGBT
Потужність розсіювання
405Вт
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
444нКл
Технологія
Trench
Технологія
Field Stop
Технологія
SiC SBD
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g