0 0 0
  8. BXW60M1K2J

Транзистори з каналом N THT BXW60M1K2J

 
BXW60M1K2J
 
BRIDGELUX
Артикул: 562646
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 60А; Idm: 240А; 271,7Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 082.14 грн
3+
1 023.35 грн
500+
996.33 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
BRIDGELUX(1457)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
60А(1441312)
Опір в стані провідності
80мОм(1441523)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
271,7Вт(1917914)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна(1786848)
Заряд затвора
170нКл(1479526)
Технологія
SiC(1591568)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
-3...18В(1981537)
Струм стоку в імпульсі
240А(1741658)
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g
 
Транзистори з каналом N THT BXW60M1K2J
BRIDGELUX
Артикул: 562646
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 60А; Idm: 240А; 271,7Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
1 082.14 грн
3+
1 023.35 грн
500+
996.33 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
BRIDGELUX
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
60А
Опір в стані провідності
80мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
271,7Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Властивості напівпровідникових елементів
виведення Кельвіна
Заряд затвора
170нКл
Технологія
SiC
Вид каналу
збагачений
Напруга затвор-джерело
-3...18В
Струм стоку в імпульсі
240А
Додаткова інформація: Маса брутто: 5 g