0 0 0
  7. DACMH200N1200

Транзисторні модулі MOSFET DACMH200N1200

 
DACMH200N1200
 
DACO Semiconductor
Артикул: 268566
Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 125А; HB9434; Idm: 500А; SiC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
26 870.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DACO Semiconductor(1279)
Робоча температура
-55...150°C(1819759)
Корпус
HB9434(1705707)
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор(1612519)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
125А(1520456)
Опір в стані провідності
15мОм(1479025)
Потужність розсіювання
980Вт(1742146)
Поляризація
польовий(1441242)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Технологія
SiC(1591568)
Напруга затвор-джерело
-10...20В(1981142)
Топологія
півмісток MOSFET(1612559)
Струм стоку в імпульсі
500А(1714522)
Додаткова інформація: Маса брутто: 200 g
 
Транзисторні модулі MOSFET DACMH200N1200
DACO Semiconductor
Артикул: 268566
Модуль; транзистор/транзистор; 1,2кВ; 125А; HB9434; Idm: 500А; SiC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
26 870.36 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DACO Semiconductor
Робоча температура
-55...150°C
Корпус
HB9434
Структура напівпровідника
транзистор/транзистор
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
125А
Опір в стані провідності
15мОм
Потужність розсіювання
980Вт
Поляризація
польовий
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Технологія
SiC
Напруга затвор-джерело
-10...20В
Топологія
півмісток MOSFET
Струм стоку в імпульсі
500А
Додаткова інформація: Маса брутто: 200 g